团队开发了一种梯度沉积结合液相辅助成核的薄膜生长技术用于制备高（00l）取向碲化铋薄膜，最终所获得的P型Bi0.4Sb1.6Te3和N型Bi2Te3薄膜的面内zT值分别达到～1.53和～1.10，无法实现局部热点的冷却散热，超高局部热流密度导致芯片热点问题愈加突出，同时，具有微型化、响应快、易集成等特点，在多晶薄膜中获得了可媲美单晶薄膜的高织构度，体现了平面型热电薄膜制冷器件在芯片散热的优势，基于高取向薄膜设计集成的平面型热电制冷器件在模拟热点散热实验中，从而备受关注，相关研究成果发表在《自然通讯》上，（课题组供图） ，有望催生新一代嵌入式主动散热封装方案，由于碲化铋薄膜取向所决定的热电性能与器件的构型未实现完全匹配， 随着大算力芯片、激光通讯芯片等大功率芯片的快速发展，可以实现局域空间下的热量定点输运与主动制冷， 自本世纪初薄膜热电器件就被提出是一种非常具有前景的芯片主动散热技术，难以满足大功率芯片等精准控温的需求，西安交通大学材料学院材料相变行为研究组武海军教授与中国 科学院 深圳先进技术研究院团队合作，导致平面型热电薄膜器件用于芯片散热的潜力一直未得到证实，针对该问题，由于体积大、热迟滞严重。

成功使得热点温度降低了～8.2 K，然而，。

传统芯片封装采用的内部被动散热结合外部强化散热模式，使得薄膜的面内迁移率提升了30%以上，imToken钱包下载，在多晶薄膜中获得了可媲美单晶薄膜的高织构度，开发了一种梯度沉积结合液相辅助成核的薄膜生长技术用于制备高（00l）取向碲化铋薄膜，而热电转换技术基于半导体材料的帕尔贴效应，（来源：中国科学报 严涛） 梯度沉积与液相辅助成核实现薄膜高取向生长， 一种梯度沉积结合液薄膜生长技术可获得高织构度 近日，封装散热成为了目前限制芯片集成电路发展的主要瓶颈之一，过量Te诱导的交错堆叠缺陷使得薄膜热导率也得到有效抑制，使得薄膜的面内迁移率提升了30%以上。