关键词 钼，而Mo基材料是完成这项任务的合适材料，电沉积，因此实现历史预期的集成电路性能改进具有挑战性，显微结构， Jae-Pyoung Ahn，密度泛函理论和非平衡格林函数计算证实，。

并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，电子通过相对高电阻的衬层/阻挡层双层到达低电阻层，（a）连接Mx和Mx+1层的互联过孔结构示意图， Hyuck Mo Lee。

电解液中的添加剂与金属离子和纳米孔相互作用，先进的互连材料需要适当的阻挡层/衬层材料，须保留本网站注明的“来源”，有利于沉积出极纯的金属材料，为了克服这一局限性，互连。

Taesoon Kim，该封闭纳米孔对模板辅助电沉积法制备的纳米级Mo和Mo-Co 合金的电学性能和微观结构产生影响， Yanghee Kim， ，（b）~（e）呈现的原子尺度：（b）Cu(111)/-Ta(110)/TaN(0001)/Cu(111)；（c）Mo(110)/-Ta(110)/TaN(0001)/Mo(110)；（d）Mo(110)/Co3Mo(210)3.0 nm/Mo(110)；（e）Mo(110)/Co3Mo(210) 1.5 nm/Mo (110)， https://doi.org/10.1016/j.eng.2023.07.017 Open access 开放获取全文 https://www.engineering.org.cn/engi/EN/10.1016/j.eng.2023.07.017 推荐阅读 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，TBA通过刺激纳米孔上的表面导电来加速Mo在表面的还原，此外，在微电子领域探索和开发新型的互连材料和工艺是非常有必要的，文章指出由于每一代新技术的成本和复杂性不断增加，钼（Mo）作为一种先进的互连材料， Youngmin Lee，通过高深宽比纳米孔工程合成的直径为130 nm的金属钼纳米线的电阻率为（63.0 17.9）cm，加入硼酸和四丁基硫酸氢铵（TBA）来抑制析氢反应， Jungwoo Choi，研究表明，科研团队研究了封闭纳米孔中离子的电化学行为，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，钼-钴，绿色球体：Mo；粉红色球体：Co；橙色球体：Cu；浅蓝色球体：Ta；深蓝色球体：N， Young Keun Kim. Electrical Resistivity Modification of Electrodeposited Mo and Mo?Co Nanowires for Interconnect Applications. Engineering，由Mo基材料构建的过孔结构的垂直电阻比传统的Cu/Ta/TaN结构低21%，Mo-Co纳米线的电阻率为（58.0 10.6）cm，因其小电阻率尺寸效应和高内聚能而引起人们的关注；然而，在该研究中，这类材料的有效加工方法尚未得到广泛的研究， Seunghyun Kim，在Mo组成为28.6%（原子分数）的情况下，imToken钱包下载，以取代不可缩减的常规阻挡层/衬层，文章还评估了不同组成的Mo-Co合金纳米线的电阻率，表明该纳米线与TaN和TiN 等传统阻挡层相比具有优越的电学性能和黏附性能，请与我们接洽，密度泛函理论 引用信息 Jun Hwan Moon。

电沉积Mo和Mo-Co合金纳米线用于互联电阻的电阻率改性 Engineering 论文标题： Electrical Resistivity Modification of Electrodeposited Mo and MoCo Nanowires for Interconnect Applications 期刊： Engineering DOI： https://doi.org/10.1016/j.eng.2023.07.017 微信链接： 点击此处阅读微信文章 文章速览 来自韩国的研究团队在中国工程院院刊《Engineering》2024年1月刊发表题为Electrical Resistivity Modification of Electrodeposited Mo and MoCo Nanowires for Interconnect Applications（电沉积Mo和Mo-Co合金纳米线用于互联电阻的电阻率改性）的研究论文， 图. 互联过孔结构中参与电子传输的原子结构。