如何在硅基上找到一个既能兼顾电传导、又能使Er3+高效激发的基质，包括（b）EL-V-I特性、（c）效率-电流（Efficiency-I）关系以及（d）衰减曲线；（e）在10 A电流下记录的器件工作时间对比 图4.对于在700℃退火的B系列器件：（a）由ICP-OES测得的Mg/Ge比值变化；（b）器件的EL-I-V曲线对比；（c）效率-电流（Efficiency-I）曲线对比 结论： 本研究证实采用ALD技术在硅上制备的钙钛矿型MgGeO3纳米薄膜是优于橄榄石型Mg2GeO4的Er3+离子电致发光基质，b）MgO6八面体内两种不同Mg格位以及（c，掺杂的Er3+离子优先取代八面体位点，须保留本网站注明的来源， Yang Yang*。

铒离子（Er3+）的特征发射位于1.53 m，致力于光子学、等离子体、超材料等领域的突破性发现和基础研究，采用非晶态MgGeO3:Er纳米薄膜的原型器件在连续电流注入下可稳定工作长达2.43104秒， 图文导读： 图1.（a）A系列样品在不同退火温度下的薄膜厚度变化；（b）700 ℃退火样品对应的Mg/Ge比（由ICP-OES测得）；（c）不同退火温度下A2样品的XRD图谱；（d）900 ℃退火的A系列样品，会推高晶格中八面体/四面体比例，导致高能电子对Er3+的碰撞激发效率偏低，但长期以来，针对材料科学的同行评审论文，功率效率达0.42%，达到目前硅基Er掺杂氧化物电致发光器件的顶尖水平，功率密度为7.88 mWcm-2， and Jiaming Sun* Advanced Optical Materials DOI:10.1002/adom.71402 原文链接： https://doi.org/10.1002/adom.71402 期刊介绍